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IRF8707GPBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
参考包装数量:95
参考包装形式:管件

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IRF8707GPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11.9 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):760pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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