收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF840STRLPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF840STRLPBF

Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF840STRLPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF840STRR Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF840STRRPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF8513PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF840STRL Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF840SPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 18 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF840S Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF840STRLPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别