收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF830ASTRLPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF830ASTRLPBF

Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 5.0A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF830ASTRLPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF830L Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF830LPBF Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF830PBF Vishay Siliconix TO-220-3 2008 MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF830ASTRL Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF830ASPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 720 MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF830AS Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF830ASTRLPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):620pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别