收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF820STRR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF820STRR

Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF820STRR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF820STRRPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF8252PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 25V 25A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8252TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8000 MOSFET N-CH 25V 25A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF820STRLPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF820STRL Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF820SPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 987 MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF820STRR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):360pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别