收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF8113PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF8113PBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
参考包装数量:95
参考包装形式:管件

与IRF8113PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF8113TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8113TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 6635 MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF820 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF8113GTRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8113GPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8113 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF8113PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 17.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2910pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别