收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF8010STRRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF8010STRRPBF

International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF8010STRRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF8113 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8113GPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8113GTRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF8010STRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF8010SPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1110 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF8010PBF International Rectifier TO-220-3 1213 MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF8010STRRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3830pF @ 25V
功率 - 最大值:260W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别