收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IRF7907PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7907PBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1113
询价QQ:
简述:MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
参考包装数量:95
参考包装形式:管件

与IRF7907PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7907TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8000 MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7910PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7910TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 10899 MOSFET DUAL N-CH 12V 10A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7905TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 8.9A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7905PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 386 MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7904TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 7.6A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

IRF7907PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.1A,11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:16.4 毫欧 @ 9.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:850pF @ 15V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别