收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF7807D1TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7807D1TRPBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF7807D1TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7807D2 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7807D2PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7807D2TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4000 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7807D1TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7807D1PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7807ATRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF7807D1TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别