收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF7779L2TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7779L2TRPBF

International Rectifier DirectFET? 等距 L8
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF7779L2TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7799L2TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等距 L8 1000 MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7799L2TRPBF International Rectifier DirectFET? 等距 L8 MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7805A International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7779L2TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等距 L8 MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7769L2TRPBF International Rectifier DirectFET? 等距 L8 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7769L2TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等距 L8 2000 MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF7779L2TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):375A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6660pF @ 25V
功率 - 最大值:3.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别