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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IRF7757TR
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IRF7757TR

International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:HEXFET TSSOP-8
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF7757TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7757TRPBF International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7759L2TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等距 L8 MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7759L2TRPBF International Rectifier DirectFET? 等距 L8 MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7756TRPBF International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7756TR International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7756GTRPBF International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

IRF7757TR参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 4.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:23nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1340pF @ 15V
功率 - 最大:1.2W
安装类型:表面贴装

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