收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IRF7756
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7756

International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
参考包装数量:95
参考包装形式:管件

与IRF7756相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7756GTRPBF International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7756TR International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7756TRPBF International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7755TRPBF International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7755TR International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7755GTRPBF International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

IRF7756参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:40 毫欧 @ 4.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):900mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1400pF @ 10V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别