收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF7665S2TR1PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7665S2TR1PBF

International Rectifier DirectFET? 等距 SB 2987
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
参考包装数量:1
参考包装形式:

与IRF7665S2TR1PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7665S2TRPBF International Rectifier DirectFET? 等距 SB MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7700 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7700GTRPBF International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7663TRPBF International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7663TR International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7607TRPBF International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 13048 MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF7665S2TR1PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 8.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):515pF @ 25V
功率 - 最大值:2.4W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别