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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF7524D1TRPBF
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IRF7524D1TRPBF

International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 闂備焦妞垮鈧紒鎻掝煼閹焦绂掔€n偅娅栭梺璺ㄥ櫐閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF7524D1TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7526D1 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7526D1PBF International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7526D1TR International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
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IRF7524D1PBF International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7524D1GTRPBF International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

IRF7524D1TRPBF参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):240pF @ 15V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装

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