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IRF7459TR

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简述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF7459TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7459TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7460 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7460PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7459PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7459 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7458TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8000 MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF7459TR参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2480pF @ 10V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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