收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF7456TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7456TRPBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF7456TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7457 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7457PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7457TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7456PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7455TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4000 MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7455PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF7456TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):62nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3640pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别