收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF744L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF744L

Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRF744L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF744PBF Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7450 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7450PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF744 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7433TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7433TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF744L参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):450V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):630 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别