收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF7433
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7433

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
参考包装数量:95
参考包装形式:管件

与IRF7433相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7433PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7433TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7433TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7426TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7425TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7425TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF7433参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1877pF @ 10V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别