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IRF740

Vishay Siliconix TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRF740相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7401PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2488 MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7401TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12000 MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7402PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7389TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 52000 MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
IRF7389TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
IRF7389PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

IRF740参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔

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