收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IRF7341TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7341TRPBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 100029
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与IRF7341TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7342 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7342D2PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1608 MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7342D2TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7341QTRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7341PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 965 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF734 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF7341TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:50 毫欧 @ 4.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:740pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别