收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF7324D1TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7324D1TR

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF7324D1TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7324D1TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 24000 MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7324PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7324TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12000 MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
IRF7324D1PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7324D1 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
IRF7324 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

IRF7324D1TR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别