收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF730L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF730L

Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRF730L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF730PBF Vishay Siliconix TO-220-3 3777 MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF730S Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF730SPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF730ASTRRPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF730ASTRR Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF730ASTRLPBF Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF730L参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 3.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别