收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > IRF7309QTRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7309QTRPBF

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与IRF7309QTRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7309TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 16000 MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):3...
IRF730A Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF730AL Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7309PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):3...
IRF7307TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12000 MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
IRF7307QTRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

IRF7309QTRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A,3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:50 毫欧 @ 2.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:520pF @ 15V
功率 - 最大:1.4W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别