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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF720L
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IRF720L

Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRF720L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF720LPBF Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 1000 MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF720PBF Vishay Siliconix TO-220-3 1762 MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF720S Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7207TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7207TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF7207PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF720L参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):410pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:通孔

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