收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF7204TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF7204TR

International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与IRF7204TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF7204TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8000 MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7205PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7205TRPBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 16000 MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7204PBF International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7204 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF7203TR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF7204TR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 10V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别