| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRF7105TRPBF |
International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 40000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IRF710L | Vishay Siliconix | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 400V 2A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF710PBF | Vishay Siliconix | TO-220-3 | 3344 | MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IRF710S | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF7105QTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：2... | |
| IRF7105PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 3449 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：2... |
| IRF7104TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 6557 | HEX/MOS P-CHAN DL 20V 2.3A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
