收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF6797MTR1PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF6797MTR1PBF

International Rectifier DirectFET? 等容 MX 3384
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与IRF6797MTR1PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF6797MTRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6798MTR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX 2000 MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
IRF6798MTRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
IRF6795MTRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6795MTR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX 3000 MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6794MTRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V DIRECTFET MX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF6797MTR1PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):36A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):68nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5790pF @ 13V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别