收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF6775MTR1PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF6775MTR1PBF

International Rectifier DirectFET? 等容 MZ 1000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF6775MTR1PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF6775MTRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6785MTR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6785MTRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6729MTRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6729MTR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX 6000 MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6728MTRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF6775MTR1PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):56 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1411pF @ 25V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别