收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF6668TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF6668TRPBF

International Rectifier DirectFET? 等容 MZ 19200
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
参考包装数量:4800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF6668TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF6674TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MZ 3000 MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6674TRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6678 International Rectifier DirectFET? 等容 MX 5322 MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6668TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6668TR1 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6665TRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 SH MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF6668TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):55A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1320pF @ 25V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别