收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF6644TR1PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF6644TR1PBF

International Rectifier DirectFET? 等容 MN 6000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF6644TR1PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF6644TRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MN 46762 MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6645 International Rectifier DirectFET? 等容 SJ MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6645TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 SJ 5000 MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6644TR1 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6644 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF6643TRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF6644TR1PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 10.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.8V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2210pF @ 25V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别