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IRF6641TR1PBF

International Rectifier DirectFET? 等容 MZ
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简述:MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IRF6641TR1PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):59.9 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2290pF @ 25V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装

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