收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF6628TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF6628TRPBF

International Rectifier DirectFET? 等容 MX 4800
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
参考包装数量:4800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF6628TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF6629TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX 2081 MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6629TRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6631TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 SQ 1000 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6628TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6626TRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6626TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 ST 1000 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF6628TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3770pF @ 15V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别