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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF6618TR1
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IRF6618TR1

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简述:MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRF6618TR1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF6618TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 MT 2000 MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6618TRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6619 International Rectifier DirectFET? 等容 MX 9600 MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6618 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6617TRPBF International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF6617TR1PBF International Rectifier DirectFET? 等容 ST 1000 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRF6618TR1参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):65nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5640pF @ 15V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装

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