| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRF634STRL |
Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IRF634STRR | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF634STRRPBF | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF640 | STMicroelectronics | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IRF634SPBF | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 819 | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IRF634S | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF634PBF | Vishay Siliconix | TO-220-3 | 804 | MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
