收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF510
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF510

Vishay Siliconix TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRF510相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF510L Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF510PBF Vishay Siliconix TO-220-3 8729 MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF510S Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF4905STRRPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF4905STRR International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF4905STRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4800 MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF510参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):540 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):180pF @ 25V
功率 - 最大值:43W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别