收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF3711L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF3711L

International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRF3711L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF3711LPBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF3711PBF International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF3711S International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF3711 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRF3710ZSTRRPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF3710ZSTRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 197 MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF3711L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2980pF @ 10V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别