收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF2907ZSPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF2907ZSPBF

International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRF2907ZSPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF2907ZSTRL7PP International Rectifier TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 1506 MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF2907ZSTRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF3000 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF2907ZS-7PPBF International Rectifier TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 964 MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF2907ZPBF International Rectifier TO-220-3 7310 MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF2907ZLPBF International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 75V 75A TO262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF2907ZSPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):160A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7500pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别