收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRF1324LPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRF1324LPBF

International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 24V 195A TO262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRF1324LPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRF1324PBF International Rectifier TO-220-3 574 MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF1324S-7PPBF International Rectifier TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB 1099 MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF1324SPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 MOSFET N-CH 24V 195A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF1312PBF International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF1310NSTRR International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRF1310NSTRLPBF International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 9666 MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRF1324LPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):195A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.65 毫欧 @ 195A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7590pF @ 24V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别