收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRC644PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRC644PBF

Vishay Siliconix TO-220-5
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与IRC644PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRC730PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...
IRC740PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...
IRC7Z222L0S APEM Components, LLC SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 250V ...
IRC640PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...
IRC634PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...
IRC630PBF Vishay Siliconix TO-220-5 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...

IRC644PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:电流感测
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 8.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别