| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IPW60R099C6 |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 298 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247 参考包装数量：240 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPW60R099CP | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 31A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPW60R125C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 200 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW60R125CP | Infineon Technologies | TO-247-3 | 181 | MOSFET N-CH 650V 25A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW60R075CP | Infineon Technologies | TO-247-3 | 1212 | MOSFET N-CH 650V 39A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW60R070C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 361 | MOSFET N-CH 600V 53A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW60R045CP | Infineon Technologies | TO-247-3 | 8485 | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
