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IPW50R399CP

Infineon Technologies TO-247-3
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简述:MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
参考包装数量:240
参考包装形式:管件

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IPW50R399CP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):399 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 330µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):890pF @ 100V
功率 - 最大值:83W
安装类型:通孔

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