| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPW50R399CP |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 560V 9A TO-247 参考包装数量：240 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPW60R041C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 976 | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW60R045CP | Infineon Technologies | TO-247-3 | 8485 | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW60R070C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 361 | MOSFET N-CH 600V 53A TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPW50R350CP | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPW50R299CP | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPW50R280CE | Infineon Technologies | TO-247-3 | 458 | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
