收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPW50R140CP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPW50R140CP

Infineon Technologies TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
参考包装数量:240
参考包装形式:管件

与IPW50R140CP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPW50R190CE Infineon Technologies TO-247-3 230 MOSF N CH 500V 18.5A PG-TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW50R199CP Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 550V 17A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPW50R250CP Infineon Technologies TO-247-3 179 MOSFET N-CH 500V 13A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPUSB1MS PHIHONG USA 177 CABLE USB A TO MICRO-B 1.5M ...
IPUSB1CS PHIHONG USA 249 CABLE USB A TO MINI-B 1.5M ...
IPUH6N03LBG Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 50A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPW50R140CP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):550V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):23A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 930µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2540pF @ 100V
功率 - 最大值:192W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别