收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPU135N08N3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPU135N08N3G

Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 1500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
参考包装数量:1500
参考包装形式:管件

与IPU135N08N3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPU13N03LAG Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPU20N03LG Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 30A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPU64CN10NG Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPU135N03LG Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPU10N03LAG Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 30A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPU10N03LA Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 30A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPU135N08N3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1730pF @ 40V
功率 - 最大值:79W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别