收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPS040N03LG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPS040N03LG

Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 1848
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
参考包装数量:1500
参考包装形式:管件

与IPS040N03LG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPS041L International Rectifier TO-261-4,TO-261AA IC MOSFET PWR SW 2A SOT-223 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:370 毫欧 电流 - ...
IPS041LTR International Rectifier TO-261-4,TO-261AA IC MOSFET PWR SW 2A SOT-223 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:370 毫欧 电流 - ...
IPS042G International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:2 导通状态电阻:370 毫欧 电流 - ...
IPS03N03LBG Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 90A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPS03N03LAG Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 25V 90A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPS032G International Rectifier 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET PWR SW DUAL 12A 16SOIC 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:2 导通状态电阻:45 毫欧 电流 - 输...

IPS040N03LG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3900pF @ 15V
功率 - 最大值:79W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别