| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP80N06S2L-09 |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPP80N06S2L-11 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPP80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPP80N06S3-05 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPP80N06S2L-07 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPP80N06S2L-06 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPP80N06S2L-05 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
