收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP80N04S4L-04
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPP80N04S4L-04

Infineon Technologies TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP80N04S4L-04相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP80N06S2-05 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP80N06S2-07 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP80N06S2-08 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP80N04S4-04 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP80N04S4-03 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP80N04S3-H4 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPP80N04S4L-04参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4690pF @ 25V
功率 - 最大值:71W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别