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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP80N03S4L-03
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IPP80N03S4L-03

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简述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP80N03S4L-03相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP80N03S4L-04 Infineon Technologies TO-220-3 980 MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPP80N04S2-04 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP80N04S2-H4 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP80CN10NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP77N06S3-09 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 77A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP77N06S2-12 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IPP80N03S4L-03参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9750pF @ 25V
功率 - 最大值:136W
安装类型:通孔

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