| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP65R380E6 |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 373 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPP65R420CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPP65R600C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 490 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP65R600E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 493 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP65R380C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 500 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP65R310CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 | 482 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP65R280E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 428 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
