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IPP65R190CFD

Infineon Technologies TO-220-3 363
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简述:MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

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IPP65R190CFD参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1850pF @ 100V
功率 - 最大值:151W
安装类型:通孔

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