| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP60R299CP |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 2112 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPP60R380C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 1711 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP60R380E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 315 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP60R385CP | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 9A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPP60R280E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 486 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP60R280C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 651 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP60R250CP | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
