型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP60R199CP |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 参考包装数量:500 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPP60R250CP | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPP60R280C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 651 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPP60R280E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 486 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPP60R190E6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 323 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPP60R190C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 255 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPP60R165CP | Infineon Technologies | TO-220-3 | 366 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |